光伏領(lǐng)域：在薄膜太陽能電池中，銦靶材可作為光吸收層形成用的濺射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太陽能電池，有助于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

集成電路（IC）制造

用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。

優(yōu)勢(shì)：銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個(gè)國家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國關(guān)注的重點(diǎn)。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時(shí)推動(dòng)高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。

濺射時(shí)間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。

靶材利用率：避免過度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。