先進封裝技術

應用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實現芯片與基板的電氣連接和熱傳導。

特點：低熔點（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

固態(tài)電池與儲能技術

前沿應用：銦作為固態(tài)電解質的界面改性材料，改善電極與電解質的接觸阻抗，提升固態(tài)電池的循環(huán)壽命和性。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導致靶材熔融或飛濺（銦熔點僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導致銦原子擴散加劇，影響薄膜結晶質量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導致靶材變形或脫靶。

防護措施

個人防護：操作時佩戴防靜電手套、護目鏡，避免直接接觸銦靶（銦金屬，但粉塵吸入可能刺激呼吸道，需在通風良好環(huán)境下操作）。

防火防爆：銦粉或碎屑屬于可燃固體（引燃溫度約 200℃），需遠離明火，廢棄靶材及碎屑應收集于專用容器中，按危險廢棄物處理。

電磁屏蔽：射頻濺射時需確保設備接地良好，防止電磁輻射對操作人員或周邊儀器的干擾。